碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体，在功率器材范畴具有着更高的击穿电压、更大的电流承当承受的才能和更宽的温度习惯规模，且内阻温度漂移极小、耐热性及可靠性远优于传统硅器材。

  在传统工业级辅佐电源中，往往需求双管反激拓扑来处理高母线电压下功率器材耐压缺乏的问题，导致本钱升高，一起市面上计划一般为固定频率、无谷底导通，跟着母线电压越高开关损耗越大；即便使用了 SiC 计划，常常要加额定的 SiC 专用驱动芯片，还需求细心考虑上电时序等许多问题，难以在小体积体系中集成。

  在消费范畴中，尤其是 PD 快充一向寻求小体积、高集成度、高功率和低本钱的使用场景，跟着第三代半导体开展，国内已有直驱 GaN 计划，但面向消费级商场直驱 SiC 的专用操控器，国内还较为稀疏。基于此，必易微近期全新推出了可直驱 SiC 的 PFC 操控器，省去专用驱动器与上电时序配套电路，让 BOM 更精简，一起把 SiC 器材的高速开关优势安稳释放出来。

  KPE2806S 是一款支撑直驱 SiC 的离线准谐振式升压 PFC 操控器，芯片支撑临界导通形式（CRM）与断续导通形式（DCM）自习惯切换，满载运转于 CRM、轻载时进入 DCM 并经过降频与打嗝（Burst）机制有用提高轻载和待机功率，适用于适配器电源、LED 照明以及台式机/电视等需求高功率因数和低输入谐波的场景。

  KPE2806S 针对直驱 SiC 的体系化需求做了多方面优化，芯片内置 16V 门极钳位并供给 −550mA / +1350mA 大电流驱动，可以匹配 SiC MOS 管更快的门极充放电需求并缩短开关过渡时刻。

  KPE2806S 经过谷底导通打准谐振作业点，在 DRAIN 电压到谷底时再注册以大幅减小开关损耗，最高钳频可达 500kHz，而且经过 RSEL 断定机制主动设定最高作业频率与最大导通时刻以匹配不同体系模块规划。芯片还完成了动态加速、两档输出电压以及打嗝/降频曲线等操控战略，让芯片在功率、功耗、响应速度、EMI 等方面获得愈加优异的平衡。

  可靠性与维护方面，KPE2806S 集成了包含 VDD OVP/UVLO、输入欠压、输出欠压/过压、逐周期过流、反常过流锁存、CZ 管脚二级 OVP、过热关断以及管脚开短路维护等完好的维护方法，此外具有较低的发动与待机电流，选用 SOT23-6 小尺度封装。

  KPE2806S 是一款面向高功能电源前端的 PFC 操控器，支撑直驱 SiC ，专为寻求更高功率、更小体积的商业电源产品而规划。该芯片针对新一代高频功率器材进行了优化，可以在多种负载工况下坚持超卓的能效体现并下降轻载与待机功耗，使整机在节能、散热和可靠性上都有显着提高。

  从产品定位来看，KPE2806S 能协助适配器、LED 驱动、电源模块等厂商在坚持功能的一起减缩元件数量和 PCB 面积，简化体系模块规划并加速工程验证周期。该芯片内建全面的维护机制与稳健的操控战略，能有用提高整机可靠性并下降出现反常工况时的危险，使终端产品在质量与安全性上更具竞争力。

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