器材，常见类型有 MOSFET、IGBT和二极管。传统Si器材已迫临资料极限，成为逐渐提高功率和功率密度的瓶颈。SiC器材凭仗更高开关速度、高结温下一起接受高压大电流等特性，可显着提高转化功率、功率密度并下降体系本钱，十分适合于车载逆变器、电动轿车充电桩、光伏、UPS、储能及工业电源等场景。当时国内外 SiC产业链加快老练，干流厂商已推出多款 SiC产品，本钱继续下降，使用正呈爆发式增加。

  功率半导体动态参数测验（双脉冲测验）是功率半导体研制与使用中的中心评价东西，不只供给要害动态参数，还经过模仿实践工况提醒器材的潜在危险与优化方向。

  以SiC和GaN为代表的第三代半导体的快速开展和使用给新能源轿车职业、电源职业等带来颠覆性的改变，也给规划工程师带来了十分大的测验应战。怎么确保选用的高速功率器材能安稳牢靠的运行在自己的产品中，有必要了解功率器材的动态特性。

  针对上述应战，RIGOL供给了专业的功率半导体动态参数测验解决计划，助力工程师完成高效评价与优化器材功用。

  确保选用的高速功率器材能安稳牢靠的运行在自己的产品中，有必要了解功率器材的动态特性，完成如下测验意图：

  ●丈量要害动态参数。丈量开关损耗、开关时刻、反向恢复特性等动态参数，用于优化体系功率、评价器材响应速度、判别其在换流过程中的安全裕量。

  ●验证驱动电路规划。评价栅极驱动电阻的合理性，优化驱动信号上升/下降斜率以削减开关震动。测验驱动芯片的维护功用是否有用。

  ●比照器材功用。在不同的电压、电流、温度条件下测验，比照不一样的资料（Si IGBT和SiC MOSFET）或不同厂商器材的功用差异，支撑选型决议计划。

  如图1所示，以SiC MOSFET为例。双脉冲测验电路由母线电容CBus、被测开关管QL、陪测 二极管VDH、驱动电路和负载电感L组成。测验中，向QL发送双脉冲驱动信号，就可以得到 QL在指定电压和电流下的开关特性。实践功率变换器的换流方式有MOS-二极管和MOSMOS两种方式，进行脉冲测验时要挑选与实践变换器相同的方式和器材。关于MOS-MOS 方式，只需要将二极管VDH换成SiC MOSFET QH，并在测验中一向施加关断信号即可。

  在测验二极管反向恢复特性时，被测管为下管，负载电感并联在其两头，陪测管为上管，测验中进行注册关断动作，如图2所示。在整个测验中，QL进行了两次注册和关断，形成了两个脉冲，丈量并保存QL的VGS、VDS、IDS波形，就可以对其第一次关断和第2次注册时动态 特性做多元化的剖析和评价了。

  RIGOL功率半导体动态参数测验计划，支撑单脉冲、双脉冲及多脉冲测验，集成了示波器、信号发生器、低压直流电源、高压直流电源、电压电流探头和软件。测验项目包括关断参数、注册参数和反向恢复参数。详细有关断推迟td(off))、下降时刻tf、关断时刻toff、关断能量损耗Eoff、注册推迟td(on)、上升时刻tr、注册时刻ton、注册能量损耗Eon、反向恢复 时刻trr、反向恢复电流Irr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、电压改变率dv/dt和电流 改变率di/dt等。

  RIGOL体系级测验渠道三大硬核利器包括MHO/DHO5000系列高分辨率示波器、PIA1000光阻隔探头、DG5000 Pro系列函数/恣意波形发生器。

  双脉冲测验是评价功率器材动态特性的黄金规范。RIGOL计划包括以下中心组件：

  ●DG5000 Pro信号发生器：生成高精度双脉冲驱动信号，支撑死区时刻操控。

  ●PIA1000光阻隔探头：1GHz带宽、180dB共模抑制比，精准丈量浮地信号（如上管Vgs）。

  轿车电子测验正从单一信号捕捉走向体系级功率剖析，RIGOL功率半导体动态功用测验解决计划经过高带宽采样、光阻隔丈量与多脉冲鼓励，把“毫厘级”的能量损耗转化为可量化、可复现、可比照的数据，协助客户在第三代半导体年代“测得准、跑得远”。如需了解更多技术细节及最新计划，请拜访RIGOL官网或联络专业客服。