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国家知识产权局信息数据显现，无锡芯研微电子有限公司请求一项名为“一种集成动态电流补偿模块的eFuse熔丝单元电路”的专利，公开号CN121237162A，请求日期为2025年9月。
专利摘要显现，本发明供给一种集成动态电流补偿模块的eFuse熔丝单元电路，归于半导体存储器技术领域，包含数字操控模块，偏置电路熔丝单元输出模块，偏置电路与熔丝单元输出模块相连，还包含与偏置电路衔接的分压电阻R1，R3，R4、以及熔丝烧写模块，熔丝烧写模块在EN1端输入低电平操控信号时，熔丝烧写模块的NMOS管N13被翻开，熔丝烧写模块的电阻R0会经过大电流开端熔丝烧写，完结后R0电阻上的硅化层被熔断使得电阻R0由低阻转化为高阻状况而且R0的阻值大于分压电阻R1，R3，R4的阻值时，完结烧写此刻输出Y由1翻转为0，熔丝单元输出模块将输出信号输出到其他电路操控。本发明具有低功耗、高稳定性和宽规模的电流调理才能。
天眼查资料显现，无锡芯研微电子有限公司，成立于2017年，坐落无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。经过天眼查大数据分析，无锡芯研微电子有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目1次，产业线条，此外企业还具有行政许可3个。
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